本课程需支撑适用专业毕业要求中的2个观测点。在毕业要求观测点的指导下,本课程制定了2项课程目标和对应的考核办法,详见表1。
表1:课程目标与毕业要求支撑关系
序号 | 观测点 | 课程目标 | 考核方法 | |
1 | 工程知识 | 观测点1.3:能将数学、自然科学知识、工程基础和专业知识,用于描述和解决本专业领域复杂工程问题。 | 课程目标1:了解集成电路的发展规律、摩尔定律、纳微米FINFET的结构;熟悉集成电路制造工艺和集成电路制造过程; | 达成度=课程目标1得分/课程目标1满分 |
2 | 设计/开发解决方案 | 观测点3.2:能够根据系统或工程目标选取适当的设计方案,并能针对复杂工程问题的关键环节给出优化实现方法。 | 课程目标2:掌握氧化工艺、掺杂工艺、CVD工艺、淀积工艺、光刻工艺等基本工艺。熟悉PN、CMOS集成电路材料制备、工艺过程和封测等产业链。 | 达成度=课程目标2得分/课程目标2满分 |
通过本课程的学习,学生需要了解集成电路制造工艺的知识,包括氧化工艺、掺杂工艺、CVD工艺、淀积工艺、光刻工艺等基本工艺,同时还需掌握PN结、NMOS管的制造流程及相应的器件电学特性。为学生今后学习专业课和从事集成电路制造等方面工作打下良好的基础。
1.学习要求
本课程要求学生思想上重视本门课程,并按照老师要求结合线上资源积极完成老师布置的任务和作业,课堂跟随老师的步骤,积极思考,多动手,提高自己分析问题和解决问题的能力。
2.分项成绩评分标准与方法
(1)平时成绩
平时成绩根据课后作业、课堂互动、实验等环节的完成情况并依据如下评分标准和方法评定,评分标准和方法如表2所示。
表2:平时成绩评定标准和方法
平时成绩构成 | 优秀 (90~100) | 良好 (80~89) | 中等 (70~79) | 及格 (60~69) | 不及格 (<60) | 所占比例 |
课程目标1 | 能够很好地能够运用数学、物理知识表达工程问题,熟悉集成电路的诞生,能很好地了解集成电路的未来发展趋势,并很好地掌握和理解集成电路的基本概念和基本术语。 | 能够较好地能够运用数学、物理知识表达工程问题,熟悉集成电路的诞生,能较好地了解集成电路的未来发展趋势,并较好地掌握和理解集成电路的基本概念和基本术语。 | 运用数学、物理知识表达工程问题的能力一般,对集成电路的诞生熟悉程度一般,对集成电路的未来发展趋势了解一般,对集成电路的基本概念和基本术语掌握和理解程度一般。 | 基本能够运用数学、物理知识表达工程问题,基本熟悉集成电路的诞生,能基本了解集成电路的未来发展趋势,并基本掌握和理解集成电路的基本概念和基本术语。 | 不能运用数学、物理知识表达工程问题,基本熟悉集成电路的诞生,不能了解集成电路的未来发展趋势,不能掌握和理解集成电路的基本概念和基本术语。 | 50% |
课程目标2 | 能够很好地根据工程实际独立完成一些简单的集成电路制造技术方案,使用silivaco软件完成工艺设计,在设计中能够很好地根据工程实际的需求进行布局方案选择和优化,了解电路设计中的安全性和可靠性问题,提出复杂工程问题的解决方案。 | 能够较好地根据工程实际独立完成一些简单的集成电路制造技术方案,使用silivaco软件完成工艺设计,在设计中能够较好地根据工程实际的需求进行布局方案选择和优化,了解电路设计中的安全性和可靠性问题,提出复杂工程问题的解决方案。 | 根据工程实际独立完成一些简单的集成电路制造技术方案,使用silivaco软件完成工艺设计的能力一般,在设计中能够较好地根据工程实际的需求进行布局方案选择和优化,了解电路设计中的安全性和可靠性问题,提出复杂工程问题的解决方案的能力一般。 | 基本能够根据工程实际独立完成一些简单的集成电路制造技术方案,使用silivaco软件完成工艺设计,在设计中基本能够根据工程实际的需求进行布局方案选择和优化,了解电路设计中的安全性和可靠性问题,提出复杂工程问题的解决方案。 | 不能根据工程实际独立完成一些简单的集成电路制造技术方案,使用silivaco软件完成工艺设计,在设计中不能根据工程实际的需求进行布局方案选择和优化,了解电路设计中的安全性和可靠性问题,提出复杂工程问题的解决方案。 | 50% |
平时成绩小计 | 100% | |||||
本课程平时成绩为各课程目标平时成绩与所占比例乘积之和。
(2)课程实践
考核方式及评分方法详见附件1-1-1。
3.总评成绩评分方法
本课程总评成绩由平时成绩、课程实践以及期末考查成绩组成。
1.教材与讲义
(1)《半导体制造技术》,(美)夸克(Michael Quirk),(美)瑟达(Julian Serda) 著;韩郑生译,电子工业出版社,2015年.
2.主要参考书
(1)《模拟电子技术基本教材》,华成英,北京:清华大学出版社,2006年.
(2)《集成电路制造工艺技术体系》,严利人,周卫著;刘道广审,北京:科学出版社,2005年.
(3)《模拟C MOS集成电路设计》,毕查德·拉扎维, 陈贵灿, 程军等.西安:西安交通大学出版社,2003年.
(4)《半导体工艺和器件仿真软件Silvaco TCAD实用教程》,唐龙谷,清华大学出版社,2014年.
(5)《微电子制造科学原理与工程技术》,第二版,[美]Stephen A, Campbell著,曾莹等译,电子工业出版社,2005年.