<p>这种类型的电路就是计算发射结和集电结的电压降,当发射结正偏(Si管的0.7或Ge管的0.2V)集电结反偏,则为放大,如果都正偏或者发射结正偏而集电结零偏则可以判断为饱和工作,如果发射结和集电结都反偏或者发射结虽然正偏但小于Vth(Si:0.5V Ge:0.1V)则判断为截止工作。在计算两个PN结的电压降,也就是计算VB、VC、VE的电位值,采用恒压降模型作为VBEQ的假定值。接A,则IBQ=(12V-VBEQ)/300K=40微安(近似),ICQ=80IBQ=3.2mA,接着根据输出回路来求VC的值(接C端),具体解法可以采用戴维宁等效电路计算,相当于8V的等效VCC'和等效的3.3K欧姆Rc',Rc'上电压为3.2mA*3.3k=10V(近似),很明显,回路总电动势只有8V,不可能VCE=-2V <0。在忽略VCES前提下,计算得出ICmax=8V/3.3k<<img src="https://edu-image.nosdn.127.net/_PhotoUploadUtils_0dbe6418-f25e-47fc-90f7-212f3e8cfcba.png" />,故管子为饱和工作。</p>