单元

教学内容

重点

难点

课时

单元1：集成电路制造工艺概述

集成电路的概念、分类

l 集成电路的概念、分类、发展现状及趋势

集成电路的发展现状及趋势

2

集成电路的工艺基础

集成电路生产环境

集成电路发展现状及趋势

单元2：硅平面工艺

双极型工艺结构分析

l 双极型结构及工艺流程；

l MOS型工艺结构工艺流程；

l CMOS型结构以及工艺流程

CMOS型工艺结构、工艺流程及工艺特点
三种工艺结构和流程的区别

2

双极型工艺流程

MOS型工艺结构分析

MOS型工艺流程

CMOS型工艺结构分析1

CMOS型工艺结构分析2

CMOS型工艺流程基本认识

CMOS型工艺流程关键工艺

单元3：薄膜制备

薄膜的认识

l 氧化、化学气相淀积、外延生长、物理气相淀积等薄膜制备方法及工艺流程

氧化、化学气相淀积、外延生长、物理气相淀积等几种薄膜制备方法各自的原理、特点及区别

6

薄膜制备的典型方法

氧化技术简介

氧化设备及工艺

化学气相淀积

外延生长

物理气相淀积

单元4：光刻技术

光刻技术基础

l 光刻胶、光刻材料及光刻设备设备

l 几种典型光刻工艺方法的技术流程

先进光刻技术工艺流程、工艺原理及应用条件的理解

6

曝光工具认识

光刻胶的认识

光刻工艺

几种光刻方法比较

套刻技术介绍

曝光质量分析

先进光刻技术介绍

真空概述

真空泵

真空测试技术

单元5：掺杂技术

扩散技术

l 扩散、离子注入、溅射、蒸发的工艺原理、工艺设备及工艺流程

扩散、离子注入等几种掺杂技术的工艺特点及区别

4

离子注入

薄膜溅射制备原理及工艺

薄膜蒸发设备及原理

单元6：刻蚀技术

刻蚀参数及原理介绍

l RIE刻蚀的技术原理、工艺流程及刻蚀设备

l PECVD、ICPCVD及离子束刻蚀原理

l 湿法刻蚀与干法刻蚀的区别

l RIE刻蚀的技术原理、工艺流程及刻蚀设备

l 湿法刻蚀与干法刻蚀的区别

4

RIE刻蚀技术及工艺

III-V刻蚀技术及工艺

PECVD原理及工艺

ICPCVD原理及工艺

离子束刻蚀原理及工艺

湿法刻蚀技术

刻蚀中的关键注意点

单元7：金属和平坦化技术

布线技术

l 布线的技术要求和特点

l 化学机械平坦化技术及工艺流程

化学机械平坦化技术的工艺流程

2

传统的平坦化技术

化学机械平坦化技术及工艺

单元8：封装技术

集成电路封装流程

l 集成电路封装的几种典型封装类型、材料及技术

先进封装技术的理解、封装缺陷分析

3

集成电路封装材料

集成电路封装关键技术

集成电路封装类型

先进集成电路封装技术

封装缺陷分析

单元9：测试技术

可靠性测试的项目及意义

l 集成电路测试的项目、意义及测试的方法

集成电路测试的项目、意义及测试的方法

3

可靠性测试的方法

现代测试技术介绍

单元10：硅衬底制备

半导体材料的基本特性

l 单晶硅的制备方法

l 晶圆加工的基本流程

晶圆加工的基本流程

3

单晶硅的制备

晶圆加工的基本流程

晶体的各种缺陷

单元11：超净间及洁净技术

洁净技术的意义

l 超净间的洁净环境的构建技术

l 纳米加工中常用的化学药品及使用注意安全知识

纳米加工中常用的化学药品及使用注意安全知识

3

洁净技术方法

超净间基本知识

超净间设备-纯水系统

超净间设备-动力系统

超净间设备-电子气体

常用化药分类和应急处理

化学药品的操作安全

单元12：单元新型纳米器件

新型纳米器件的认识

l 新型纳米器件的类型、现状和前景

l mems技术的研究现状及趋势

mems技术的研究现状及趋势

2

新型纳米器件中的应用

单元13：MEMS技术介绍

MEMS技术的现状及趋势1

MEMS技术的现状及趋势2