这门课将讲解双极型晶体管和MOS场效应晶体管的工作原理,介绍这两种器件的特性和模型,讲解影响器件特性的主要因素和晶体管中的常见非理想效应,介绍小尺寸MOS器件的发展动态,为设计、分析和应用半导体器件做准备。建议每周3-5小时。
掌握双极型晶体管和MOS场效应晶体管的工作原理,掌握这两种器件的特性和模型,理解影响器件特性的主要因素和晶体管中的常见非理想效应,了解小尺寸MOS器件的发展动态。
预修大学物理、高等数学和半导体物理课程
本课程的配套自编教材已正式出版:
《半导体器件基础(面向新工科的电工电子信息基础课程系列教材)》(蒋玉龙)【摘要 书评 试读】- 京东图书
参考资料:
曾树荣 | 半导体器件物理基础 | 北京大学出版社 | 2002 |
刘树林,张华曹,柴长春 | 半导体器件物理 | 电子工业出版社 | 2005 |
施敏(美)著,黄振岗译 | 半导体器件物理 | 电子工业出版社 | 1987 |
刘永,张福海编著 | 晶体管原理 | 国防工业出版社 | 2002 |
S. Wolf | Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. 3 | Lattice Press | 1995 |
1、没学过半导体物理课程,请务必先修读半导体物理课程;
2、学起来很难,那很正常,这课公式很多,要有一定的微积分数学基础;
3、看视频的时候,手边最好常备纸笔,边看,边画,边想;
4、每周3-5小时是正常的。