半导体物理实验
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课程评价
spContent=《半导体物理实验》将学习半导体分立器件、材料的微观结构、物理特性以及半导体物理学的研究方法以及实验技术,从微观角度解释发生在半导体中的宏观物理现象。重点学习测量单晶硅材料的非平衡少子寿命、霍尔效应法测量不同材料的电阻率、禁带宽度、PN结结深、PN结的导通与击穿电压等物理参数的测量原理与表征技术。本课程中涉及到实验方案的设计,实验平台的搭建以及行业通用先进仪器的操作和调试,对各种物理现象的观测及各项物理参数的测量和计算,进一步拓展到集成电路行业中设计,分析,研究与制造等相关复杂工程问题中所涉及到的半导体材料参数的测量,表征和物理现象的验证等实验方法。
—— 课程团队
课程概述

     半导体物理实验是微电子科学与工程以及集成电路设计与集成系统专业的重要专业实验课程之一。该课程的主要研究对象为半导体材料,半导体因其导电能力随外界条件改变而变化,在各种微电子器件,集成电路,太阳能电池以及各类传感器等不同领域中得到广泛的应用。通过该实践课程的学习,可以进一步加深学生对半导体理论知识和概念,特别是物理现象的理解,使学生更好的掌握半导体物理学的思想方法和研究方法以及实验技术;通过本课程中实验系统的搭建、实验方案的设计以及实验仪器的操作和调试,进一步培养学生的创新实践动手能力;课程中对各项物理参数的测量和计算,对各种物理现象的观测,可以加强学生在实验基础上的理论计算和归纳总结的能力,并借此过程培养其严谨的科学态度,使学生熟练掌握微电子行业中设计,分析,研究与制造等相关复杂工程问题中所涉及到的半导体材料参数的测量,表征和物理现象的验证等实验方法。

授课目标

    通过该实践课程的学习,可以进一步加深学生对半导体理论知识和概念,特别是物理现象的理解,使学生更好的掌握半导体物理学的思想方法和研究方法以及实验技术;通过本课程中实验系统的搭建、实验方案的设计以及实验仪器的操作和调试,进一步培养学生的创新实践动手能力;课程中对各项物理参数的测量和计算,对各种物理现象的观测,可以加强学生在实验基础上的理论计算和归纳总结的能力,并借此过程培养其严谨的科学态度,使学生熟练掌握微电子行业中设计,分析,研究与制造等相关复杂工程问题中所涉及到的半导体材料参数的测量,表征和物理现象的验证等实验方法。

   通过该课程的学习培养学生理论结合实践的能力,是学生能够掌握半导体材料的性质以及表征等方面的实验研究方法,为学生今后解决各类半导体材料和器件以及集成电路设计和制造等相关复杂工程问题奠定基础。


课程大纲
预备知识

       该实验课程滞后于理论课程《半导体物理 I 》与《半导体物理 II 》,学生学习这门实践课程前应该掌握非平衡少子寿命、禁带宽度、霍尔效应、PN结等基本的物理概念,在此基础上充分了解PN结在正向以及反向电压下的工作原理。

证书要求

为积极响应国家低碳环保政策, 2021年秋季学期开始,中国大学MOOC平台将取消纸质版的认证证书,仅提供电子版的认证证书服务,证书申请方式和流程不变。

 

电子版认证证书支持查询验证,可通过扫描证书上的二维码进行有效性查询,或者访问 http://www.icourse163.org/verify,通过证书编号进行查询。学生可在“个人中心-证书-查看证书”页面自行下载、打印电子版认证证书。

 

完成课程教学内容学习和考核,成绩达到课程考核标准的学生(每门课程的考核标准不同,详见课程内的评分标准),具备申请认证证书资格,可在证书申请开放期间(以申请页面显示的时间为准),完成在线付费申请。

 

认证证书申请注意事项:

1. 根据国家相关法律法规要求,认证证书申请时要求进行实名认证,请保证所提交的实名认证信息真实完整有效。

2. 完成实名认证并支付后,系统将自动生成并发送电子版认证证书。电子版认证证书生成后不支持退费。


参考资料

1.《微电子与集成电路技术实验教程》,樊永祥,桂智彬,张军琴编,西电教材科。

2. 《半导体物理学》(第五版),刘恩科、朱秉升等,电子工业出版社,2004

3.《半导体物理与器件》(第三版),Donald A. Neamen()著,赵毅强、姚素英、解晓东等译,电子工业出版社,20079月。

4.《半导体器件物理》,刘树林、张华曹、柴常春著,电子工业出版社,20053月。

5.《半导体器件物理》(第三版)施敏()等著,耿莉、张瑞智译,西安交通大学出版社,20086月。

6.《半导体物理问题与习题》(第二版),田敬民编著,国防工业出版社,20051月。