集成电路制造工艺
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课程评价
spContent=本课程是我院省品牌建设专业--微电子技术专业的重要核心课程,是无锡市精品课程和精品资源共享课程。课程团队编写的教材获评国家“十二五规划”教材,《氧化工艺设备的操作》和《二极管工艺参数的设计》《芯片制造中扩散工艺的设计与操作》分别获得国家和江苏省“信息化教学设计大赛一等奖、二等奖”。
—— 课程团队
课程概述

本课程主要讲授集成电路制造的工艺原理、方法、设备及工艺中主要参数的测试和质量控制方法。在结构上对应集成电路产业链的环节,以集成电路生产过程为导向,根据企业岗位设置,对教学内容进行模块化设计,分基础模块、核心模块,拓展模块、提升模块四部分。设计既注重学生对集成电路的整个工艺过程有一完整的了解,同时又重点突出对集成电路芯片制造的五个核心工艺的把握。



授课目标

1.掌握双极和MOS集成电路工艺基本流程; 2.掌握集成电路制造各道工序的原理和方法、集成电路制造过程中的主要参数和检测方法; 3.了解新工艺与必要的生产管理知识; 4.具备集成电路制造工艺操作能力、主要工艺参数的分析能力、查阅新工艺新技术的能力、分析客户要求,设计工艺流程的能力;

课程大纲

第一章 集成电路制造工艺的发展与工艺流程(4课时)

1.1 集成电路制造工艺的发展历史

1.2 分立器件和集成电路制造工艺流程

第一章单元测验

第二章 薄膜制备(16课时)

2.1 半导体生产中常用的薄膜

2.2 薄膜生长-SiO2的热氧化

2.3 化学气相淀积

2.4 物理气相淀积

2.5 外延生长

第二章 单元测验

第三章 光刻(6课时)

3.1 光刻工艺的基本原理

3.2 光刻胶

3.3 光刻工艺的基本流程

3.4 先进的光刻工艺

第三章 单元测验

第四章 刻蚀(4课时)

4.1 刻蚀的基本概念

4.2 湿法刻蚀

4.3 干法刻蚀

4.4 去胶

第四章 单元测验

第五章 掺杂(6课时)

5.1 扩散的基本原理

5.2 扩散方法

5.3扩散的质量参数及检测

5.4离子注入的基本原理

5.5离子注入的设备

5.6离子注入的损伤与退火

第五章 单元测验

第六章 平坦化(4课时)

6.1 平坦化的基本原理

6.2 传统的平坦化方法

6.3 CMP 平坦化

第六章单元测验

第七章 硅衬底制备(4课时)

7.1 硅单晶的制备

7.2 单晶硅的质量检验

7.3 硅圆片的制备

第七章 单元测验

第八章 组装工艺(4课时)

8.1 芯片组装工艺流程

8.2 引线键合技术

8.3 封装技术

第八章 单元测验

第九章 洁净技术(4课时)

9.1 洁净技术等级

9.2 洁净设备

9.3 清洗技术

9.4纯水制备

第九章 单元测验

第十章 CMOS集成电路制造工艺(4课时)

10.1 CMOS反相器的工作原理和结构

10.2 CMOS 集成电路的工艺流程

10.3 CMOS 中其他相关工艺

第十章 单元测验

第十一章 集成电路测试与可靠性分析(2课时)

11.1 集成电路测试

11.2 集成电路可靠性分析

第十一章 单元测验

第十二章 集成电路设计与仿真(6课时)

12.1 二极管工艺参数的设计与仿真

12.2NMOS的工艺参数设计与仿真

12.3NPN晶踢馆的工艺参数设计与仿真

第十二章 单元测验







预备知识

1.常用的半导体器件,如二极管、晶体管、MOS管等有源器件和电阻、电容等无源器件。

2.双极集成电路和MOS集成电路的基本结构和工作原理。

证书要求

暂无证书

参考资料
  1. 《集成电路制造工艺》,孙萍主编,电子工业出版社。

  2. 《半导体工艺》,张渊主编,机械工业出版社。

  3. 《芯片制造-半导体工艺制程使用教程(第六版)》,Peter Van Zant著,电子工业出版社。

常见问题
  1. 内容比较多,知识点比较分散,专业术语需要理解。

  2. 理论内容如何与实践操作相结合。