半导体器件物理
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spContent=通过本课程的学习,了解集成电路IC芯片的最基本构成--半导体器件
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课程概述

《半导体器件物理》是微电子技术专业的专业核心课程,微电子专业的学生今后主要从事半导体器件的生产、设计、管理和其他相关工作。掌握半导体物理与半导体器件的基本概念、基本理论以及基本的分析方法对于职业能力和职业素养的培养起到明显的促进作用,为培养适合微电子行业的懂理论、精技能、高素质的高技能应用型人才提供了有力的支撑。通过本课程的学习,学生重点要掌握半导体材料的特性、PN结理论、双极型晶体管、MOS晶体管及其他常见半导体器件的结构,了解器件的工作原理、版图的阅读、双极型晶体管的设计方法等内容,能运用学到的知识对常用的晶体管进行简单的分析和初步的设计。


授课目标

通过本课程的学习掌握半导体材料的基本特性和导电原理。了解常用的半导体器件,掌握其结构,特性和工作原理,能够对器件性能进行一定的分析。

课程大纲

第一周--第二周 半导体特性

半导体特性 测验

1.1 半导体的特性

1.2 半导体中的电子状态

1.3 杂质与缺陷

2.1半导体中的载流子

2.2 非平衡载流子

2.3 载流子的运动

第三周  平衡PN结和PN结的伏安特性

3.1 平衡PN结

3.2 PN结的直流特性(1)

3.3 PN结的直流特性(2)

PN结的基本特性

第四周 PN结的电容特性,击穿特性和开关特性

PN结 测验(第三周+第四周)

4.1 PN结的电容特性

4.2 PN结的击穿特性

4.3 PN结的开关特性

第五周 晶体管的结构和工作原理

5.1 晶体管的结构

5.2 晶体管中的电流传输

5.3 晶体管的直流电流放大系数

晶体管的电流放大系数

第六周 晶体管的直流特性和频率特性

6.1 晶体管的伏安特性

6.2 晶体管的反向电流和击穿特性

6.3 晶体管的频率特性

晶体管的伏安特性

第七周 晶体管的交流电流放大系数和极限频率参数

7.1 影响晶体管交流电流放大系数的原因

7.2 晶体管的交流电流放大系数

7.3 晶体管的极限频率参数

晶体管的频率参数

第八周 晶体管的功率特性和开关特性

8.1 大电流效应

8.2 晶体管的安全工作区

8.3 晶体管的开关特性(1)

晶体管的单元测验

第九周 晶体管的工艺结构和半导体表面特性

9.1 晶体管的开关特性(2)

9.2 晶体管的图形结构和工艺流程

9.3 半导体的表面

半导体的表面

第十周 MOS结构的阈值电压

10.1 半导体表面空间电荷区和表面势

10.2 理想MOS结构的阈值电压

10.3 实际MOS结构的阈值电压

MOS结构的阈值电压

第十一周 MOS结构的应用和MOS结构的C-V特性

11.1 MOS结构的应用

11.2 理想MOS电容的C-V特性

11.3 实际MOS电容的C-V特性

MOS电容的C-V特性

第十二周 金属--半导体接触和MOS管的结构与分类

12.1 金属--半导体接触

12.2 MOS管的基本结构

12.3 MOS管的工作原理与分类

半导体表面特性 单元测验

第十三周 MOS管的阈值电压

13.1 MOS管的阈值电压

13.2 MOS管的伏安特性

13.3 MOS管的直流参数

MOS管的特性

第十四周  MOS管的频率特性和版图结构

MOS管的单元测验

14.1 MOS管的频率特性

14.2 MOS管的版图结构

预备知识

无要求

证书要求

暂无证书

参考资料

《半导体器件物理》 主编 徐振邦 电子工业出版社