半导体器件基础
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课程评价
spContent=这是专门为通过网络学习半导体器件基础知识的同学准备的一门基础性专业课程,也可能是目前网络上中文讲解内容最详细,最可能让学生加深理解半导体器件基础知识的一门课程。我们建设这门课的初衷就是提供一流的内容,让集成电路专业的学习者,能尽量喜欢上半导体器件这门课。
—— 课程团队
课程概述

这门课将讲解双极型晶体管和MOS场效应晶体管的工作原理,介绍这两种器件的特性和模型,讲解影响器件特性的主要因素和晶体管中的常见非理想效应,介绍小尺寸MOS器件的发展动态,为设计、分析和应用半导体器件做准备。建议每周3-5小时。

授课目标

掌握双极型晶体管和MOS场效应晶体管的工作原理,掌握这两种器件的特性和模型,理解影响器件特性的主要因素和晶体管中的常见非理想效应,了解小尺寸MOS器件的发展动态。

课程大纲
预备知识

预修大学物理、高等数学和半导体物理课程

证书要求

1、学习完全部视频;

2、通过期中考试和期末考试,总成绩60~79分为合格,80分及以上为优秀;

3、为了保障证书权威性,平台不再支持免费电子证书,只提供认证证书。达到合格或优秀成绩的学习者可以付费申请相应等级的认证证书。

参考资料

曾树荣

半导体器件物理基础

北京大学出版社

2002

刘树林,张华曹,柴长春

半导体器件物理

电子工业出版社

2005

施敏(美)著,黄振岗译

半导体器件物理

电子工业出版社

1987

刘永,张福海编著

晶体管原理

国防工业出版社

2002

S. Wolf

Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. 3

Lattice Press

1995


常见问题

1、没学过半导体物理课程,请务必先修读半导体物理课程;

2、学起来很难,那很正常,这课公式很多,要有一定的微积分数学基础;

3、看视频的时候,手边最好常备纸笔,边看,边画,边想;

4、每周3-5小时是正常的。