这门课将讲解双极型晶体管和MOS场效应晶体管的工作原理,介绍这两种器件的特性和模型,讲解影响器件特性的主要因素和晶体管中的常见非理想效应,介绍小尺寸MOS器件的发展动态,为设计、分析和应用半导体器件做准备。建议每周3-5小时。
掌握双极型晶体管和MOS场效应晶体管的工作原理,掌握这两种器件的特性和模型,理解影响器件特性的主要因素和晶体管中的常见非理想效应,了解小尺寸MOS器件的发展动态。
预修大学物理、高等数学和半导体物理课程
为积极响应国家低碳环保政策, 2021年秋季学期开始,中国大学MOOC平台将取消纸质版的认证证书,仅提供电子版的认证证书服务,证书申请方式和流程不变。
电子版认证证书支持查询验证,可通过扫描证书上的二维码进行有效性查询,或者访问 http://www.icourse163.org/verify,通过证书编号进行查询。学生可在“个人中心-证书-查看证书”页面自行下载、打印电子版认证证书。
完成课程教学内容学习和考核,成绩达到课程考核标准的学生(每门课程的考核标准不同,详见课程内的评分标准),具备申请认证证书资格,可在证书申请开放期间(以申请页面显示的时间为准),完成在线付费申请。
认证证书申请注意事项:
1. 根据国家相关法律法规要求,认证证书申请时要求进行实名认证,请保证所提交的实名认证信息真实完整有效。
2. 完成实名认证并支付后,系统将自动生成并发送电子版认证证书。电子版认证证书生成后不支持退费。
本课程的配套自编教材正在出版中,请耐心等候。
曾树荣 | 半导体器件物理基础 | 北京大学出版社 | 2002 |
刘树林,张华曹,柴长春 | 半导体器件物理 | 电子工业出版社 | 2005 |
施敏(美)著,黄振岗译 | 半导体器件物理 | 电子工业出版社 | 1987 |
刘永,张福海编著 | 晶体管原理 | 国防工业出版社 | 2002 |
S. Wolf | Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. 3 | Lattice Press | 1995 |
1、没学过半导体物理课程,请务必先修读半导体物理课程;
2、学起来很难,那很正常,这课公式很多,要有一定的微积分数学基础;
3、看视频的时候,手边最好常备纸笔,边看,边画,边想;
4、每周3-5小时是正常的。